Name: SIR1309DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND
Price: 5.9236 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIR1309DP-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SIR1309DP-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SIR1309DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIR1309DP-T1-GE3
תיאור	P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 22
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 30 V 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIR1309DP-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏7.3‏, A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±25V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	3250 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

769 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®

* כל הזמנות Digi-Reel יוסיפו דמי גלילה של 26.00 ₪‏.

סרט וסליל (TR)‏