Name: SIRA60DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA60DP-T1-GE3TR-ND
Price: 9.2276 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIRA60DP-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIRA60DP-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIRA60DP-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIRA60DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIRA60DP-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 55
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIRA60DP-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2.2‏ ב-µA‏250‏
יצרן Vishay Siliconix	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 60 nC @ 4.5 V
סדרה TrenchFET® Gen IV	Vgs (מקס') +20V, -16V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 7650 pF @ 15 V
סטטוס החלק פעיל	פיזור הספק (מקס') 57W (Tc)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30 V	מארז ההתקן של הספק PowerPAK® SO-8
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 100A (Tc)	מארז‏ / תיבה PowerPAK® SO-8
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מספר מוצר בסיס SIRA60
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏0.94‏, A‏20‏, V‏10‏

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (6)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
RQ3E180AJTB	Rohm Semiconductor	9,668	RQ3E180AJTBCT-ND	5.60000 ₪	דומים
RS1E280BNTB	Rohm Semiconductor	49,649	RS1E280BNTBCT-ND	4.39000 ₪	דומים
RS1E321GNTB1	Rohm Semiconductor	2,295	RS1E321GNTB1CT-ND	10.36000 ₪	דומים
RS1E350BNTB	Rohm Semiconductor	750	RS1E350BNTBCT-ND	8.16000 ₪	דומים
RS3E095BNGZETB	Rohm Semiconductor	2,446	RS3E095BNGZETBCT-ND	4.58000 ₪	דומים