Name: SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA99DP-T1-GE3TR-ND
Price: 14.278 ILS
Availability: OutOfStock

SIRA99DP-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIRA99DP-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIRA99DP-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIRA99DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIRA99DP-T1-GE3
תיאור	MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 55
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 30 V 47.9A (Ta), 195A (Tc) 6.35W (Ta), 104W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIRA99DP-T1-GE3 דגמים

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	47.9A (Ta), 195A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏1.7‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	+16V, -20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	10955 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	6.35W (Ta), 104W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיס	SIRA99

כמות	מחיר יחידה	סה"כ
3,000	3.72636 ₪	11,179.08 ₪
6,000	3.62571 ₪	21,754.26 ₪

מחיר יחידה ללא מע"מ:	12.10000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	14.27800 ₪

SIRA99DP-T1-GE3