Name: SIS435DNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS435DNT-T1-GE3TR-ND
Price: 5.5342 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIS435DNT-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIS435DNT-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIS435DNT-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIS435DNT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIS435DNT-T1-GE3
תיאור	MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 38
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 20 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIS435DNT-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	20 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	30A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	1.8V, 4.5V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏5.4‏, A‏13‏, V‏4.5‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	mV‏900‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	180 nC @ 8 V
Vgs (מקס')	±8V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	5700 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.7W (Ta), 39W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיס	SIS435

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

12,060 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®

* כל הזמנות Digi-Reel יוסיפו דמי גלילה של 26.00 ₪‏.

סרט וסליל (TR)‏