
SISF04DN-T1-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SISF04DN-T1-GE3 |
תיאור | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 55 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | MOSFET - מערכים 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8SCD |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | SISF04DN-T1-GE3 דגמים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V2.3 ב-µA250 |
יצרן Vishay Siliconix | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 60nC ב-10V |
סדרה | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 2600pF ב-15V |
אריזה סרט וסליל (TR) סרט חתוך (CT) Digi-Reel® | הספק - מקס' 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
סטטוס החלק פעיל | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת) | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
תצורה מרזב משותף עם 2 תעלות-N (כפול) | מארז / תיבה PowerPAK® 1212-8SCD |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30V | מארז ההתקן של הספק PowerPAK® 1212-8SCD |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 30A (Ta), 108A (Tc) | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm4, A7, V10 |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 6.68000 ₪ | 6.68 ₪ |
| 10 | 4.26600 ₪ | 42.66 ₪ |
| 100 | 2.88300 ₪ | 288.30 ₪ |
| 500 | 2.29060 ₪ | 1,145.30 ₪ |
| 1,000 | 2.10010 ₪ | 2,100.10 ₪ |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 3,000 | 1.85827 ₪ | 5,574.81 ₪ |
| 6,000 | 1.73661 ₪ | 10,419.66 ₪ |
| 9,000 | 1.67465 ₪ | 15,071.85 ₪ |
| 15,000 | 1.64592 ₪ | 24,688.80 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 6.68000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 7.88240 ₪ |











