Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 9.8176 ILS
Availability: OutOfStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SISF20DN-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SISF20DN-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SISF20DN-T1-GE3
תיאור	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 29
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8SCD Dual
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	2 תעלות N (כפול)
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	14A (Ta), 52A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏13‏, A‏7‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	33nC ב-10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1290pF ב-30V
הספק - מקס'	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8SCD Dual
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8SCD Dual
מספר מוצר בסיס	SISF20