Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 4.2598 ILS
Availability: OutOfStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SISH536DN-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SISH536DN-T1-GE3
תיאור	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 55
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8SH
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen V
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏3.25‏, A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.2‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	+16V, -12V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1150 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8SH
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8SH

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

0‏ במלאי

בדיקת זמן האספקה

בקשת הודעה על מלאי

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®

* כל הזמנות Digi-Reel יוסיפו דמי גלילה של 26.00 ₪‏.

סרט וסליל (TR)‏