Name: SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND
Price: 5.546 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SISS52DN-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SISS52DN-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 22
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 47.1A (Ta), 162A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8SH
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SISS52DN-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen V
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	47.1A (Ta), 162A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏1.2‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.2‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	+16V, -12V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2950 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	4.8W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8SH
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8SH
מספר מוצר בסיס	SISS52