Name: SISS80DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND
Price: 10.6436 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SISS80DN-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SISS80DN-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SISS80DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SISS80DN-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 19
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8S
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	20 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	58.3A (Ta), 210A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	2.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏0.92‏, A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	+12V, -8V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	6450 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	5W (Ta), 65W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8S
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8S
מספר מוצר בסיס	SISS80