SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | מערכי FET‏, MOSFET‏

SIZ300DT-T1-GE3 פריט שהתיישן ואינו מיוצר עוד.

תחליפים זמינים:

מומלצי MFR

Vishay Siliconix

קיים במלאי: 5,300

מחיר יחידה : 4.13000 ₪

דומים

onsemi

קיים במלאי: 21

מחיר יחידה : 3.77000 ₪

דומים

onsemi

קיים במלאי: 2,210

מחיר יחידה : 4.72000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIZ300DT-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIZ300DT-T1-GE3
תיאור	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 30V 11A, 28A 16.7W, 31W הרכבה משטחית 8-PowerPair®
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIZ300DT-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏	Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏24‏, A‏9.8‏, V‏10‏
יצרן Vishay Siliconix	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2.4‏ ב-µA‏250‏
סדרה TrenchFET®	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 12nC ב-10V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 400pF ב-15V
סטטוס החלק מוצר שהתיישן	הספק - מקס' 16.7W, 31W
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
תצורה שתי תעלות-N (חצי-גשר)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מאפיין FET שער רמה לוגית	מארז‏ / תיבה ‎8-PowerWDFN
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30V	מארז ההתקן של הספק 8-PowerPair®
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 11A, 28A	מספר מוצר בסיס SIZ300

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (3)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
SIZ342BDT-T1-GE3	Vishay Siliconix	5,300	742-SIZ342BDT-T1-GE3CT-ND	4.13000 ₪	מומלצי MFR
FDMC7200	onsemi	21	FDMC7200CT-ND	3.77000 ₪	דומים
FDMC7200S	onsemi	2,210	FDMC7200SCT-ND	4.72000 ₪	דומים

מיושן

מוצר זה אינו מיוצר יותר. הצגת תחליפים.

SIZ300DT-T1-GE3