SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

SIZ300DT-T1-GE3 פריט שהתיישן ואינו מיוצר עוד.

תחליפים זמינים:

מומלצי MFR

Vishay Siliconix

קיים במלאי: 0

מחיר יחידה : 0.98920 ₪

דומים

onsemi

קיים במלאי: 3,000

מחיר יחידה : 3.84000 ₪

דומים

onsemi

קיים במלאי: 3,367

מחיר יחידה : 3.91000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIZ300DT-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIZ300DT-T1-GE3
תיאור	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 30V 11A, 28A 16.7W, 31W הרכבה משטחית 8-PowerPair®
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIZ300DT-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	מוצר שהתיישן
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	שתי תעלות-N (חצי-גשר)
מאפיין FET	שער רמה לוגית
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	11A, 28A
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏24‏, A‏9.8‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	12nC ב-10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	400pF ב-15V
הספק - מקס'	16.7W, 31W
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerWDFN
מארז ההתקן של הספק	8-PowerPair®
מספר מוצר בסיס	SIZ300