Name: SIZ918DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ918DT-T1-GE3TR-ND
Price: 10.3604 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIZ918DT-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIZ918DT-T1-GE3
תיאור	MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 24
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 30V 16A, 28A 29W, 100W הרכבה משטחית ‎8-PowerPair® (10×10)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIZ918DT-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	שתי תעלות-N (חצי-גשר)
מאפיין FET	שער רמה לוגית
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	16A, 28A
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏12‏, A‏13.8‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.2‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	21nC ב-10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	790pF ב-15V
הספק - מקס'	29W, 100W
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerWDFN
מארז ההתקן של הספק	‎8-PowerPair® (10×10)‎
מספר מוצר בסיס	SIZ918