
SIZ918DT-T1-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR) SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIZ918DT-T1-GE3 |
תיאור | MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 38 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | MOSFET - מערכים 30V 16A, 28A 29W, 100W הרכבה משטחית 8-PowerPair® (10×10) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | SIZ918DT-T1-GE3 דגמים |
קטגוריה | Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm12, A13.8, V10 |
יצרן Vishay Siliconix | Vgs(th) (מקס') @ Id V2.2 ב-µA250 |
סדרה | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 21nC ב-10V |
אריזה סרט וסליל (TR) סרט חתוך (CT) Digi-Reel® | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 790pF ב-15V |
סטטוס החלק פעיל | הספק - מקס' 29W, 100W |
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת) | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
תצורה שתי תעלות-N (חצי-גשר) | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
מאפיין FET שער רמה לוגית | מארז / תיבה 8-PowerWDFN |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30V | מארז ההתקן של הספק 8-PowerPair® (10×10) |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 16A, 28A | מספר מוצר בסיס |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 8.59000 ₪ | 8.59 ₪ |
| 10 | 5.52600 ₪ | 55.26 ₪ |
| 100 | 3.77520 ₪ | 377.52 ₪ |
| 500 | 3.02558 ₪ | 1,512.79 ₪ |
| 1,000 | 2.78513 ₪ | 2,785.13 ₪ |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 3,000 | 2.47886 ₪ | 7,436.58 ₪ |
| 6,000 | 2.32503 ₪ | 13,950.18 ₪ |
| 9,000 | 2.27545 ₪ | 20,479.05 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 8.59000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 10.13620 ₪ |

