Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3TR-ND
Price: 8.0358 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SQJ262EP-T1_GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SQJ262EP-T1_GE3
תיאור	MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 32
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8 כפול אסימטרי
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SQJ262EP-T1_GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	2 תעלות N (כפול)
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏35.5‏ ב-A‏2‏, V‏10‏, mOhm‏15.5‏ ב-A‏5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	nC‏10‏ ב-V‏10, nC‏23‏ ב-V‏10
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	550pF ב-25V, 1260pF ב-25V
הספק - מקס'	27W (Tc), 48W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8 כפול
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8 כפול אסימטרי
מספר מוצר בסיס	SQJ262