Name: SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ570EP-T1_GE3TR-ND
Price: 7.3986 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SQJ570EP-T1_GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SQJ570EP-T1_GE3
תיאור	MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 32
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8 כפול
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SQJ570EP-T1_GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	תעלת N ותעלת P
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏45‏ ב-A‏6‏, V‏10‏, mOhm‏146‏ ב-A‏6‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	nC‏20‏ ב-V‏0‏1, nC‏15‏ ב-V‏10
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	650pF ב-25V, 600pF ב-25V
הספק - מקס'	27W
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8 כפול
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8 כפול
מספר מוצר בסיס	SQJ570