eGaN Basics

eGaN® Basics

EPC

This tutorial covers the basics of EPC’s enhancement mode gallium nitride (eGaN®) transistors. EPC’s eGaN® transistors give the design engineer a whole new spectrum of performance compared with silicon power MOSFETs. These advantages can be applied to gain efficiency advantages, size advantages, or a combination of both.

Related Parts

תמונהמק"ט יצרןתיאורפונקציהמשובציםמעגל משולב / חלק בשימושכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
EVAL BOARD FOR EPC2015EPC9001EVAL BOARD FOR EPC2015דוחף חצי גשר-H‏ (FET חיצוני)לאEPC2015מיידית - 0$322.99הצגת הפרטים
EVAL BOARD FOR EPC2001EPC9017EVAL BOARD FOR EPC2001דוחף חצי גשר-H‏ (FET חיצוני)לאEPC2001מיידית - 0$426.17הצגת הפרטים
EVAL BOARD FOR EPC8007EPC9027EVAL BOARD FOR EPC8007דוחף חצי גשר-H‏ (FET חיצוני)לאEPC8007מיידית - 0$515.89הצגת הפרטים
EVAL BOARD FOR EPC2001EPC9002EVAL BOARD FOR EPC2001דוחף חצי גשר-H‏ (FET חיצוני)לאEPC2001מיידית - 0$322.99הצגת הפרטים
PTM פורסם ב: