
SiC Gate Drivers
onsemi
This presentation will introduce onsemi's NCP51561 5 kV isolation silicon carbide, silicon junction MOSFET gate driver. It will discuss turning on and off a silicon junction MOSFET versus a silicon carbide MOSFET. Gate driver undervoltage lockout will be explained relative to the Miller plateau region of both silicon junction and silicon carbide MOSFETs. It will also explain the benefits of the NCP51561 negative bias driving silicon carbide MOSFETs during turn off. Finally, this module will explore a first-order approximation for gate drive strength calculation for the NTH4L022N120M3S 1200 V, 22 mΩ silicon carbide MOSFET.
Related Parts
תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NCP51561DADWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | מיידית - 259 Factory Stock - 17000 | $13.17 | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | NCP51561BADWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | מיידית - 780 | $13.17 | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | NCP51561BBDWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | מיידית - 456 | $13.17 | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | NCP51561DBDWR2G | DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC | מיידית - 767 Factory Stock - 2000 | $13.17 | הצגת הפרטים |
![]() | ![]() | NTH4L022N120M3S | SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V | מיידית - 681 Factory Stock - 88650 | $61.08 | הצגת הפרטים |