הגדרות
אספקה מהירה
Incoterms
סוגי תשלום
מוצרי Marketplace
Reengineering Silicon Power Devices: How to improve both conduction and switching losses
This deep-dive explains how to reduce both conduction and switching losses without traditional tradeoffs. Learn key concepts like RDS(on), QSW, and EOSS, and see real boost converter test results demonstrating improved efficiency, performance, and reliability versus conventional silicon and GaN solutions.
Part List
| תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | סוג FET | טכנולוגיה | מתח מרזב-למקור (Vdss) | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IS20M5R5S1T | MOSFET N-CH 200V 151A TOLL | תעלת N | MOSFET (תחמוצת מתכת) | 200 V | מיידית - 100 | $31.55 | הצגת הפרטים |
|  | IS20M6R3S1P | MOSFET N-CH 200V 172A TO-220 | תעלת N | MOSFET (תחמוצת מתכת) | 200 V | מיידית - 977 | $25.21 | הצגת הפרטים |
|  | IS20M028S1C | MOSFET N-CH 200V 45A PDFN-8 | תעלת N | MOSFET (תחמוצת מתכת) | 200 V | מיידית - 3106 | $11.90 | הצגת הפרטים |
| | IS20M028S1P | MOSFET N-CH 200V 41A TO-220 | תעלת N | MOSFET (תחמוצת מתכת) | 200 V | מיידית - 991 | $14.23 | הצגת הפרטים |
| | IS15M7R1S1C | MOSFET N-CH 150V 133A PDFN-8 | תעלת N | MOSFET (תחמוצת מתכת) | 150 V | 0 | $19.09 | הצגת הפרטים |
ישראל