VideoLibrary

LMG3410R070 Gallium Nitride Power Stage | First Look

Texas Instrumennts’ LMG3410R070 integrates the 600V, 70mΩ GaN FET, gate driver, and protection functions in an 8mm x 8mm low inductance QFN package that requires only a 12V unregulated supply for operation.

11/12/2020 2:46:11 PM

Part List

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVERLMG3410R070RWHTPWR MGMT MOSFET/PWR DRIVERמיידית - 246$61.65הצגת הפרטים

Related Product Highlight

LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET Power Stages Texas Instruments' LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET power stages provide increased switching performance and efficiency in an easy-to-use solution.
דרגת הספק גאליום ניטריד (GaN)‏ LMG3410R070 דרגת ההספק MG3410R070 GaN של TI מציעה מספר מאפיינים המשפרים את ביצועי המיתוג ואת הנצילות ביישומי מתח-גבוה.