ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

DDR3 SDRAM

ISSI מציעה את ה-SDRAM DDR3 שלה עם קצב נתונים של עד ‎2133 Mbps

תמונה של DDR3 SDRAM מבית ISSIעם אחד ההיצעים הרחבים ביותר של מוצרי DRAM בתעשיה, ISSI מציעה פתרון באיכות גבוהה עבור מגוון יישומים. זרימה סטנדרטית של ISSI כוללת 100% האמצה (Burn-in) ובדיקות בטמפרטורה חמה וקרה. המחויבות שלהם לתמיכה ארוכת-טווח במוצרי DRAM הופכת אותם לאידיאליים בתחומי הרכב, התעשייה, הרפואה והתקשורת, היכן שאריכות ימים היא דרישת מפתח. תיק מוצרי ה-ISSI DRAM כולל EDO/FP,‏ SDR,‏ DDR,‏ DDR2,‏ SDR נייד, DDR נייד, זיכרון RLDRAM® 2/3 ועתה DDR3.

מאפיינים
  • מבזקי (Strobe) נתונים הפרשיים דו-כיווניים
  • מיסוך נתונים לכל בייט בפקודות כתיבה
  • אורך פרץ (Burst) ניתן לתכנות של ארבעה או שמונה
  • שיהוי CAS ניתן לתכנות
  • אופני רענון-אוטומטי ורענון-עצמי
  • OCD (התאמה על ידי הדוחף)
  • ODT‏ (On Die Termination) נתמך
  • איזון כתיבה
  • מארזים: BGA ‏96-כדוריות עבור x16,‏ BGA ‏78-כדוריות עבור x8
  • תמיכה לטווח ארוך
יישומים
  • טלקום/רשתות
    • צמתי גישה
    • צמתי אגרגציה
    • מתגים ונתבים
    • חבילת תמסורת אופטית
    • אחסון רשת (PON OLT,‏ DSLAM,‏ CMTS, אלחוטי)
  • כלי-רכב
    • מערכות מידע-ובידור
    • טלמטיקה
    • מערכות מידע לנהג
  • תעשייה
    • ממשק מכונה-אדם
    • מחשוב משובץ

DDR3 SDRAM

תמונהמק"ט יצרןתיאורארגון זיכרוןממשק זיכרוןמתח - הספקהכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16128BL-125KBLIC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA128M x 16מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16256AL-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA256M x 16מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512AL-125KBLIIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128B-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16מקבילי1.425V ~ 1.575Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8מקבילי1.425V ~ 1.575Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512A-125KBLIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16מקבילי1.425V ~ 1.575Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640B-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16מקבילי1.425V ~ 1.575Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280B-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8מקבילי1.425V ~ 1.575Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128BL-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR82560B-125KBLIIC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA256M x 8מקבילי1.425V ~ 1.575Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8מקבילי1.425V ~ 1.575Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120AL-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8מקבילי1.283V ~ 1.45Vמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
2017-05-16 תאריך הפרסום

Related Product Highlight

Legacy DRAM Featuring DDR3 ISSI’s DDR3 DRAM options are available in densities from 1 Gb to 16 Gb with long-term support.
פתרונות זיכרון DDR3 חברת ISSI מציעה DDR3/DDR3L בתחומי צפיפויות מ- ‏Gb‏ 1 עד ‏Gb‏ 8 ובתחומי טמפרטורות לכלי-רכב, לתעשייה ולמסחרי. מוצרים אלו מתאימים היטב עבור רשתות, טלקום, כלי-רכב ויישומים משובצים.