ניפוץ המחסומים
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
טכנולוגיית GaNMACOM Technology נטלה את ההובלה בדחיפת תהליך המסחור של GaN לתוך יישומים נפוצים. ההיצע של סל המוצרים היחידי בתעשיית ה- RF והמיקרוגל שהוא גם של מוצרי GaN על סיליקון וגם של מוצרי GaN על SiC, והמגוון רחב של אפשרויות מארזים עבור יישומי גל רציף ופולסים, מבססים אותנו היטב כמובילים בכל גרסות GaN ובכל היישומים בשוקי הקצה. ביצועיםבכל הנוגע לבשלות של טכנולוגיית GaN, אנו יודעים כיום כי GaN על סיליקון מספקת לפחות פי 8 מצפיפות הספקת הכוח הגולמית של טכנולוגיית GaAs שבשימוש, תוך הגדלת הנצילות מאמצע ה- 40% עד 70%. אנו מאמינים כי היא יכולה לעשות זאת בעלות נמוכה של לפחות פי 2 עד 3 מאשר GaAs בשלב הבשלות של מפעלי הייצור של מוליכים-למחצה למכשירי 6". מסחורטכנולוגיית GaN עושה כעת את המעבר מטכנולוגיה מיוחדת במימון ממשלתי לעמוד תווך מסחרי בייצור המוני. על ידי מינוף כושר המדרוג של תעשיית הסיליקון, הגדולה בשני סדרי גודל אפילו משוק מכשירי GaAs, נוכל בקרוב למנף את טכנולוגיית GaN עבור יישומים רגישים לעלויות. בשלב הבשלות, אנו מאמינים כי טכנולוגיית GaN על סיליקון תצא נשכרת ממבני עלויות סיליקון שהם קטנים פי 3 מנפח GaAs הגבוה ביותר כיום ובעלות נמוכה פי 100 מאשר טכנולוגיית GaN על SiC של היום. סל מוצרי GaN
|
חיפוש חלקים מבית MACOM Technologyמודולי הדרכת מוצריםסרטוניםמשאביםמאמרים |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||




