EE-Picks

הגנה חסונה של הספקת כוח תעשייתית

• תחום רחב של הספקת כוח בכניסה: +4.5 V עד 36 V+
• טולרנס כניסה שלילית של עד -36 V
• התנגדות מצב-מופעל (RON) נמוכה של 190 mΩ (טיפוסית)
• כניסת בקרה של זרימת זרם אחורני
• הגנת עומס-יתר תרמית
• תחום טמפרטורות מורחב של 40°C- עד 125°C+

חוסך שטח

• מארז TQFN 3 מ"מ x 3 מ"מ עם 16 פינים

אפשרויות תכנון גמישות

• ספי OVLO ו- UVLO ניתנים לכיוונון
• מגבל זרם-קדומני ניתן לתכנות: 0.15 A עד 1 A
• כבל מוארך המגיע עד 150 מטר
• תגובת תקלת זרם-יתר ניתנת לתכנות: ניסיון-מחדש אוטומטי, הסרת הנעילה ורציף
• שתי כניסות אפשור: EN ו-HVEN מתח גבוה אקטיבי-נמוך

הגנה חסונה של הספקת כוח תעשייתית

• תחום רחב של הספקת כוח בכניסה: +4.5 V עד 36 V+
• טולרנס כניסה שלילית של עד -36 V
• התנגדות מצב-מופעל (RON) נמוכה של 190 mΩ (טיפוסית)
• כניסת בקרה של זרימת זרם אחורני
• הגנת עומס-יתר תרמית
• תחום טמפרטורות מורחב של 40°C- עד 125°C+

חוסך שטח

• מארז TQFN 3 מ"מ x 3 מ"מ עם 16 פינים

אפשרויות תכנון גמישות

• ספי OVLO ו- UVLO ניתנים לכיוונון
• מגבל זרם-קדומני ניתן לתכנות: 0.15 A עד 1 A
• כבל מוארך המגיע עד 150 מטר
• תגובת תקלת זרם-יתר ניתנת לתכנות: ניסיון-מחדש אוטומטי, הסרת הנעילה ורציף
• שתי כניסות אפשור: EN ו-HVEN מתח גבוה אקטיבי-נמוך

• עבודת PWM בתדר קבוע של 1.4 MHz וב-Current-Mode
• עבודה בסטיית פאזה של 180° מקטינה את קבל הכניסה
• דיוק יציאה של ±1% בתחומי העומס, הקו והטמפרטורה
• זרם יציאה מובטח של 750 mA
• תחום מתחי כניסה 2.6 V עד 5.5 V
• שיהוי איפוס בהפעלה של 16.6 ms (MAX1970) או 175 ms (MAX1971 ו- MAX1972)

• יציאת תקלת-כוח (רק MAX1970 ו- MAX1972)
• כניסת איפוס בהפעלה (רק MAX1971)
• עבודה מחוץ לפס xDSL
• תכן אולטרה-קומפקטי עם הרכיבים החיצוניים הקטנים ביותר
• יציאות ניתנות לכיוונון מ- 0.8 V עד VIN או 1.8 V / 3.3 V ו- 1.5 V / 2.5 V מוגדרות מראש
• יישומים עם קבלים שכולם קרמיים
• אתחול-רך מקטין את זרם האתחול

• תחום מתחי כניסה של 1.425 V עד 3.6 V
• מפל מתח מובטח של 200 mV בזרם יציאה של 1 A
• דיוק יציאה של ±1.4% על פני העומס, הקו והטמפרטורה (0°C עד 85°C+), דיוק ראשוני של ±0.6%
• תואם לקבלים קרמיים
• תגובה מהירה לטרנזיינטים

• זרם הספקה במצב עבודה 320 µA
• זרם הספקה במצב כבוי < 25 µA
• הגנת קצר
• הגנת עומס-יתר תרמית
• אתחול-רך מגביל את זרם האתחול

• מטען סוללה תא-יחיד ליתיום-יון (+Li) לינארי, מיוצב-תרמית, CCCV
• ללא MOSFET חיצוני, דיודה חוסמת אחורנית או נגד חישת-זרם
• זרם טעינה-מהירה ניתן לתכנות (1 ARMS מקס')
• בקרת ייצוב קיניינית של טמפרטורת השבב (115°C+)
• תחום מתחי כניסה 4.25 V עד 28 V עם כניסת OVP מעל +7 V

• מנטר זרם-טעינה עבור מעקב רמת טעינה (ISET)
• מפל מתח נמוך (300 mV ב- (500 mA
• יציאת גילוי מקור-כוח בכניסה (POK אקטיבי-נמוך), כניסת אפשור-טעינה (EN אקטיבי-נמוך)
• אתחול-רך מגביל את יציאת זרם האתחול עבור אתחול אוטומטי (Autobooting - ABO)
• מארז TDFN זעיר 2 מ"מ x 2 מ"מ עם 8 פינים, גובה 0.8 מ"מ (מקס')

• אופני סריקה, מיצוע פנימי ושעון פנימי
• First-In/First-Out (FIFO) 16 כניסות
• SampleSet: תזמון ערוצים מוגדר על ידי המשתמש עם אורך מקסימלי של 256
• מרבב אנלוגי עם עקיבה/החזקה הפרשית אמיתית
• שני תחומי כניסה ביפולאריים לבחירה בתוכנה
  • 2/+VREF±, +VREF±
• תצורות כניסה גמישות בכל הערוצים
• דיוק גבוה
  • ±1 LSB INL, 1 LSB DNL±, ללא קודים חסרים

• SINAD מובטח של 70 dB בתדרי כניסה 500 kHZ (MAX11131) / 100 kHz (MAX11331)
• מתח הספקה כניסה/יציאה דיגיטלית 1.5 V עד 3.6 V
• מתח הספקה 2.35 V עד 3.6 V
• משך חיי סוללה ארוך עבור יישומים ניידים
• ייחוס הפרשי חיצוני (1 V עד VDD)
• ממשק טורי תלת-חוטי 48 MHz תואם SPI-/QSPI-/MICROWIRE-/DSP
• תחום טמפרטורות עבודה רחב 40°C- עד 125°C+
• קצב המרה 3 Msps, ללא שיהוי הצנרה (Pipeline)

• דיוק AC ו- DC גבוה
• רזולוצייה של 18-bit, ללא קודים חסרים
• SNR: 94.6 dB
• THD: 105 dB- ב- 10 kHz
• ±2.5 LSB INL (טיפוסי)
• ±0.4 LSB DNL (טיפוסי)
• ייחוס פנימי וחוצץ ייחוס חוסכים בעלות ובשטח הלוח
• 6ppm/°C (טיפוסי)
• מארז TDFN זעיר של 3 מ"מ x 3 מ"מ עם 12 פינים
• תואם SPI/QSPI™/MICROWIRE®/DSP

• תחום כניסה אנלוגי ביפולארי ±5 V חוסך אכשור אותות חיצוני
• ממיר ADC עם הספקה יחידה ובהספק נמוך
• מתח הספקה אנלוגי 5 V
• מתח הספקה דיגיטלי 2.3 V עד 5 V
• 26.5 mW ב- 500 ksps
• מצב כבוי
• קצב העברה 500 ksps
• ללא השהייה/שיהוי הצנרה (Pipeline)
• ממשק טורי גמיש וסטנדרטי בתעשייה חוסך פיני כניסה/יציאה

MAX44248

• היסט מתח כניסה נמוך ביותר של 7.5 µV (מקס')
• סחיפת היסט נמוכה של 30 nV/°C (מקס')
• זרם רגיעה נמוך של 90 µA לכל מגבר
• רעש כניסה נמוך
• 50 nV ב- 1 kHz
• 0.5 µV P-P מ- 0.1 Hz עד 10 Hz
• מכפלת הגבר-רוחב-סרט של 1 MHz
• מעגלי שיכוך EMI
• יציאת פס-לפס
• תחום מתחי הספקה 2.7 V עד 36 V
• מארזי µMAX, SO, SOT23, TSSOP

MAX44246

• תחום מתחי הספקה 2.7 V עד 36 V
• VOS כניסה אולטרה-נמוך: 5 µV (מקס')
• סחיפת היסט נמוכה של 20 nV/°C (מקס')
• רעש נמוך של 9 nV ב- 1 kHz
• זמן התייצבות מהיר של 1 µs
• מכפלת הגבר-רוחב-סרט של 5 MHz
• יציאת פס-לפס
• מסנן EMI משולב
• זרם רגיעה נמוך של 0.55 mA (מקס') לכל ערוץ
• מארז µMAX/SO עם 8 פינים

• קיזוז צומת-קר
• רזולוציה של 14-Bit, 0.25°C
• קיימות גירסות עבור הצמדים-התרמיים מסוג K, J, N, T, S, R או E (ראה טבלה 1 בדף הנתונים המלא)

• ממשק פשוט תואם SPI (קריאה בלבד)
• מגלה קצר של צמד-תרמי להארקה (GND) או ל- CCV
• מגלה צמד-תרמי פתוח

• המרה פשוטה של התנגדות RTD פלטינום לערך דיגיטלי
• מטפל ברכיבי RTD פלטינום (PT100 ו- PT1000) של 100 Ω עד 1 kΩ
• תואם עם חיבורי חיישנים של 2, 3 ו- 4 חוטים
• זמן המרה: 21 ms מקס'
• רזולוציית ADC של 15-bit; רזולוציית טמפרטורה נומינלית 0.03125°C (משתנה בשל אי-ליניאריות ה- RTD)

• דיוק כולל בכל תנאי העבודה: 0.5°C מקס' (0.05% מהתחום המלא)
• הגנת כניסה ±50 V
• כניסות VREF הפרשיות במלואן
• גילוי תקלות (אלמנט RTD פתוח, RTD מקוצר למתח מחוץ-לתחום או קצר בין קצוות אלמנט ה-RTD)
• ממשק תואם SPI
• מארז TQFN עם 20 פינים