הגדרות
אספקה מהירה
אספקה מהירה
Incoterms
סוגי תשלום
מוצרי Marketplace
1700 V EliteSiC Diodes
onsemi‘s diodes have temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance
onsemi‘s 1700 V EliteSiC Schottky diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance set SiC as the next generation of power semiconductors. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
Features
- Ease of paralleling
- High surge current capacitance
- Max junction temperature: +175°C
- No reverse recovery/no forward recovery
- Higher switching frequency
- Low forward voltage (VF)
- Positive temperature coefficient
- AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
Applications
- Automotive HEV-EV DC-DC converters
- Automotive HEV-EV onboard chargers
- Industrial power
- PFC
- Solar
- UPS
- Welding
1700 V EliteSiC Diodes
| תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | מיידית - 374 | $62.95 | הצגת הפרטים |
Other Wide Bandgap Solutions
| תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | מיידית - 0 | See Page for Pricing | הצגת הפרטים |
|  | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | מיידית - 2633 Factory Stock - 5000 | $23.18 | הצגת הפרטים |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | מיידית - 1231 | $21.86 | הצגת הפרטים |
|  | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | מיידית - 627 | $10.80 | הצגת הפרטים |
|  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | מיידית - 961 Factory Stock - 114000 | $20.53 | הצגת הפרטים |
2020-04-02 תאריך הפרסום
ישראל