onsemi

FGH4L50T65MQDC50 IGBT

onsemi's FGH4L50T65MQDC50 is a 650 V field stop 4th generation mid-speed IGBT with a co-pack SiC diode

Image of onsemi's FGH4L50T65MQDC50 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT)onsemi's FGH4L75T65MQDC50 powerhouse IGBT dominates industrial tasks by leveraging groundbreaking IGBT and SiC Schottky diode technology to deliver unrivaled efficiency. Users can tackle high-demand operations with minimal energy loss and experience true industrial power.

Features
  • Positive temperature coefficient
  • Low VCE(sat)
  • Low Eon and Eoff
Applications
  • Solar inverters
  • UPS
  • Energy storage systems
  • PFC
  • EV charging stations

FGH4L50T65MQDC50 IGBT

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
IGBT FS 650V 100A TO-247-4LFGH4L50T65MQDC50IGBT FS 650V 100A TO-247-4Lמיידית - 318
Factory Stock - 450		$39.08הצגת הפרטים
2024-02-01 תאריך הפרסום

Related Product Highlight

טרנזיסטורים ביפולריים שער-מבודד (IGBTs) יחידים טרנזיסטורים ביפולריים שער-מבודד (IGBTs) יחידים של onsemi מתוכננים לספק ביצועים ונצילות יוצאים מן הכלל במגוון רחב של יישומים.