עיקרי מוצרים > פתרונות אינוורטר סולארי

אינוורטר סולארי

אנרגיה מתחדשת כמו אנרגיית שמש ואנרגיית רוח היא אחת הדרכים היעילות ביותר להפחית פליטות פחמן. הליבה של ממיר סולארי היא דרגות המרה בהספק גבוה, ממיר DC-DC Boost ואינוורטר DC-AC. עם פיתוח מתגי הספקת-כוח ודרישות חדשות הנוצרות על ידי המוצרים הסופיים, מוצגות טופולוגיות חדשות רבות. onsemi מציעה מגוון רחב של רכיבים המתאימים עבור אינוורטר סולארי.

מימוש מערכת: פאנל סולארי - ממיר Boost‏ אינוורטר ~ עומס/מטען רכב חשמלי/רשת החשמל

ביישומים בעלי הספק גבוה, IGBTs הם עדיין הבחירה המועדפת משום שהם מעניקים ביצועים יוצאי דופן בעת התמודדות עם זרם גבוה ומתח גבוה. החיסרון העיקרי של IGBTs הוא מהירות המיתוג הנמוכה יותר שלהם, שאינה חשובה באותה מידה עבור אינוורטר סולארי. onsemi מציעה גם IGBTs בדידים וגם פתרונות מודול משולבים יותר. Field Stop7‏ היא משפחת IGBT חדשה V‏ 1,200‏ המותאמת להפסדי הולכה נמוכים.

התקני סיליקון קרביד הם שימושיים יותר עבור מתחים גבוהים יותר בהשוואה ל-MOSFET סיליקון מסורתי, תוך הפחתת הפסדי ההולכה. לפתרונות אינוורטר SiC יש הפסדים נמוכים יותר מאשר לפתרונות IGBT. ניתן להחליף רכיבי MOSFET‏ SiC מהר יותר, מה שעוזר להפחית את גודל ההתקנים הפסיביים, במיוחד את המשרנים. מצד שני, מערכת SiC מלאה דורשת תכן מערכת חדש לחלוטין, מה שמגדיל עוד יותר את העלויות. משפחה חדשה של SiC MOSFET‏ V‏ 1,200‏ (M3S‏)ממוטבת לפעולה בטמפרטורה גבוהה ומתהדרת ב-_(DS(ON‏R‏ נמוך ביותר, עד כדי mΩ‏ 22‏, כאשר מתח הדחיםה הוא V‏ 18‏.

onsemi מציעה מודולי IGBT או SiC עם מגוון טופולוגיות, כולל חצי-גשר, או אפילו A-NPC‏ שלם בעל שלוש-רמות במארז אחד. השימוש במודולי הספקת-כוח מביא יתרונות רבים, כולל תכונות תרמיות משופרות, הקטנת גודל המערכת וזמן יציאה מהיר יותר לשוק. מודולים אלה ניתנים לשימוש בהספקים בתחום של עשרות עד מאות קילוואט.

יתרונות משפחת EliteSiC של onsemi

Si Discrete‏

NTMFS0D4N04XMT1G

40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA

NTMFWS1D5N08XT1G

MOSFET - הספק, יחיד, ערוץ N

NTBGS004N10G

POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS

NTMFS3D2N10MD

POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS

NTMFS7D5N15MC

PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56

IGBT‏

FGHL40T120RWD

IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO247

FGHL60T120RWD

IGBT FIELD STOP 1200V 120A TO247

FGHL40T120SWD

IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO247

FGY75T120SWD

IGBT FIELD STOP 1200V 150A TO247

FGH4L40T120LQD

1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT

FGHL50T65LQDT

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3

FGHL50T65LQDTL4

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3

FGH4L50T65SQD

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L

FGH4L50T65MQDC50

IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247

SiC בדידים

NTH4L028N170M1

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

NTH4L014N120M3P

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

NTHL022N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

NTH4L040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

NTBG070N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

NTBG020N090SC1

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

NTBG015N065SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

NTBL045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

NTH4L015N065SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

NTHL075N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

NDSH25170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

FFSH10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

FFSB20120A

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 32A D2PAK-3

FFSH30120ADN-F155

DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3

FFSH40120ADN-F155

DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3

NDSH50120C

DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2

FFSD0665B

DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK

FFSP0665B

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2

FFSB0665B

DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

FFSB1065B

DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2

Power Module

NXH450B100H4Q2

1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED

NXH300B100H4Q2F2

PIM 1500V 250KW Q2BOOST

NXH240B120H3Q1P1G

150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI

NXH100B120H3Q0

PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

NXH40B120MNQ1

30KW Q1BOOST FULL SIC

NXH40B120MNQ0SNG

80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

Power Module

NXH800A100L4Q2F2

MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE

NXH600N65L4Q2F2

150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN

NXH450N65L4Q2

650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M

NXH350N100H4Q2F2

IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

NXH80T120L3Q0

PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80

NXH40T120L3Q1

IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40

NXH200T120H3Q2

80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE

NXH006P120MNF2PTG

SIC MODULES HALF BRIDGE