טרנזיסטורי MDmesh DM2 MOSFET‏ 600‎ V

STMicroelectronics מציעה את טרנזיסטורי MDmesh DM2 MOSFET‏ 600‎ V שלה עבור יישומים תעשייתיים

סדרת טרנזיסטורי MOSFET נצילות גבוהה האחרונה מבית תמונה של טרנזיסטורי 600‎ V MDmesh DM2 MOSFET מבית STMicroelectronicsSTMicroelectronics עם דיודת התאוששות מהירה, שכוללת מטען התאוששות (Qrr) נמוך מאוד וזמן התאוששות (trr) קצר מאד, ממוטב במיוחד עבור טופולוגיות גשר-מלא וחצי-גשר מתח-גבוה הדורשות ביצועי מיתוג גבוהים. התקני ‎600 V אלה כוללים גם Qg אולטרה-נמוך, קיבוליויות Coss/Ciss נמוכות ביותר, התנגדות מצב-מופעל נמוכה מאוד, וקשיחות dv/dt גבוהה.

מאפיינים עיקריים
  • דיודת-גוף התאוששות מהירה
  • מטען שער (Qg) וקיבוליות כניסה נמוכים ביותר
  • התנגדות מצב-מופעל נמוכה
  • מטען התאוששות (Qrr) נמוך מאוד וזמן התאוששות (trr) קצר מאוד
  • 100% נבדקו במפולת
  • קשיחות dv/dt גבוהה ביותר
  • מוגני זנר

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET N-CH 600V 24A TO247STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247מיידית - 508$20.50הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 650V 48A TO247STW56N65DM2MOSFET N-CH 650V 48A TO247מיידית - 917$41.91הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 600V 12A TO220STP18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO220מיידית - 879$11.43הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKSTB18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKמיידית - 1167$11.38הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 600V 12A TO247STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO247מיידית - 473$12.57הצגת הפרטים
2016-02-24 תאריך הפרסום