PowerFLAT™ SiC Diodes

STMicro's 8 mm x 8 mm diodes offer excellent sustainability from design to field

Image of STMicro's PowerFLAT™ SiC DiodeSTMicro's PowerFLAT 8 mm x 8 mm HV SiC, 650 V diodes offer 4 A, 6 A, and 8 A versions that ease design in low-space environments thanks to the compact package. The diode devices offer enhanced power integration plus maximized productivity and sustainability. The MSL1 devices comply with ultra-stringent application conditions due to their high overcurrent capability in FLAT packages.

Features
  • Package height: < 1 mm
  • High creepage package
  • Negligible or no reverse recovery
  • Temperature independent switching behavior
  • High forward-surge capability
  • Low drop-forward voltage
  • Exceptional power efficiency
  • ECOPACK®2 compliant
Applications
  • SMPS for telecom
  • Servers
  • Factory automation
  • Renewable energy
  • UPS
  • DIN rails
  • High-frequency inverters for boost PFC, bootstrap, or clamping functions

PowerFLAT™ SiC Diodes

תמונהמק"ט יצרןתיאורמהירותזמן התאוששות הפוכה (TRR)כמות זמינהמחירהצגת הפרטים
DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HVSTPSC4H065DLFDIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HVאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$10.73הצגת הפרטים
DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVSTPSC6H065DLFDIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 10348$11.63הצגת הפרטים
DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HVSTPSC8H065DLFDIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HVאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 3937$14.71הצגת הפרטים
DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVSTPSC10H065DLFDIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 0$18.09הצגת הפרטים
DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVSTPSC10065DLFDIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HVאין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA0 nsמיידית - 838$14.89הצגת הפרטים
2019-05-02 תאריך הפרסום