משאבי תכנון
חברת Transphorm מובילה את מהפכת ה- GaN עם התקני GaN האמינים ביותר ועם הביצועים העיליים ביותר עבור יישומי המרת הספק במתח גבוה. מערך של כלים ומשאבים זמינים כדי לסייע בתכנון יישומי GaN.
ערכות הערכה
דפי יישומים
מדריכי תכנון
מודלים SPICE
מסמכים טכניים
מקרי שימוש של לקוחות
לימוד
ערכות הערכה
מק"ט | תיאור | הצגת הפרטים |
---|---|---|
TDTTP2500P100-KIT-ND | 2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT | הצגת הפרטים |
TDTTP4000W066B-KIT-ND | 4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT | הצגת הפרטים |
TDINV1000P100-KIT-ND | 1KW INVERTER EVALUATION KIT | הצגת הפרטים |
TDINV3000W050-KIT | 3.0KW INVERTER EVAL KIT | הצגת הפרטים |
TDINV3500P100-KIT-ND | 3.5KW INVERTER EVAL KIT | הצגת הפרטים |
TDHBG2500P100-KIT-ND | 2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT | הצגת הפרטים |
דפי יישומים
AN0002: המאפיינים של רכיבי FET להספק GaN מבית Transphorm
AN0003: פרישה ובדיקה של לוח מעגלים מודפסים ובדיקה עבור רכיבי FET GaN
AN0004: תכנון גשרים עם מיתוג-קשה עם GaN
AN0006: טולרנסים של טרנזיינטי VGS של רכיבי FET GaN מבית Transphorm
AN0007: המלצות להלחמת רמה שנייה נטולת-עופרת PQFN88 עבור Vapor Phase Reflow
AN0008: דירוגי מתח מרזב (Drain) ומפולת עבור רכיבי FET GaN
AN0009: מעגלים חיצוניים מומלצים עבור רכיבי FET GaN מבית Transphorm
AN0011: דף יישומים של לוח PCB עם חיבור במקביל של רכיבי FET GaN PQFN
מדריכי תכנון
- DG001: תכני מכל תהודה LLC עבור מטען kW 3.3 על-הלוח לרכבים חשמליים עם מתח יציאה בתחום רחב
- DG002: ממיר Boost CRM דו-פאזי kW 2.3 עם נצילות גבוהה עבור מהפכים סולאריים
- DG004: בדיקות מרובות-פולסים עבור אימות פרישת GaN
- DG005: מפסק זרם אולטרה-מהיר לזרם-יתר עבור בניית אב-טיפוס
- DG006: תכן LLC DC ל- DC W 600 באמצעות רכיבי FET GaN
- DG007: גשר-מלא של היסט פאזה kHz 200 עבור מטען kW 3.3 על-הלוח לרכבים חשמליים
- DG008: גשר אקטיבי כפול kHz 100 עבור מטען מצברים דו-כיווני kW 3.3
מודלי Spice לפי מק"ט
- (TPH3202Px/Lx (600 V, 290 mΩ | v 2.0
- (TPH3206Px/Lx (600 V, 150 mΩ | v 2.0
- (TPH3208PS/Lxx (650 V, 110 mΩ | v 2.0
- (TPH3212PS (650 V, 72 mΩ | v 2.0
- (TPH3205WSB/WSBQA (650 V, 49 mΩ | v 2.3
- (TPH3207WS (650 V, 35 mΩ | v 2.2
- (TP65H070LxG (650 V, 50 mΩ | v 0.1
- (TP65H050WS (650 V, 50 mΩ | v 0.1
- (TP65H035WS (650 V, 35 mΩ | v 0.1
- הורדת כל המודלים
סקירת מאמרים טכניים המפרטים מגוון נושאים הקשורים לתכנון עם GaN
Barr, R., Haller, J., Shono, K., Georgieva, E., McKay, J., Smith, P., Smith, K., Rakesh, L., Yifeng, Y., High Voltage GaN Switch Reliability, Nov 2018
Parikh, Primit; Smith, Kurt; Barr, Ronald; et al., 650 Volt GaN Commercialization Reaches Automotive Standards, ECS Transactions, September 2017
Parikh, Primit, Driving the Adoption of High Voltage Gallium Nitride Field-Effect Transistors [Expert View], IEEE Power Electronics Magazine, September, 2017
Huang, Zan; Cuadra, Jason, Preventing GaN Device VHF Oscillation, APEC 2017 Industry Session, March, 2017
Zuk, Philip; Campeau, Gaetan, How to Design with GaN in Under an Hour, APEC 2017 Exhibitor Session, March 2017
Smith, Kurt; Barr, Ronald, Reliability Lifecycle of GaN Power Devices, white paper, March 2017
Wang, Zhan; Wu, Yifeng, 99% Efficiency True-Bridgeless Totem-Pole PFC Based on GaN HEMTs
Wang, Zhan; Honea, Jim; Wu, Yifeng, Design and Implementation of a High-efficiency Three-level Inverter Using GaN HEMTs, May 2015 (requires IEEE access)
Zhou, Liang; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Wang, Zhan, High-efficiency True Bridgeless Totem Pole PFC based on GaN HEMT: Design Challenges and Cost-effective Solutions, May 2015 (requires IEEE access)
Wang, Zhan; Wu, Yifeng; Honea, Jim; Zhou, Liang, Paralleling GaN HEMTs for diode-free bridge power converters, Mar 2015
Kikkawa, T., et al, 600V JEDEC-qualified Highly-reliable GaN HEMTs on Si Substrates, Dec 2014 (requires IEEE access)
Wu, Yifeng; Guerrero, Jose; McKay, Jim; Smith, Kurt, Advances in reliability and operation space of high-voltage GaN power devices on Si substrates, Oct 2014 (requires IEEE access)
Wang, Zhan; Honea, Jim; Yuxiang Shi; Hui Li, Investigation of driver circuits for GaN HEMTs in leaded packages, Oct 2014
Wu, Y.; Gritters, J.; Shen, L.; Smith, R.P.; Swenson, B., kV-class GaN-on-Si HEMTs Enabling 99% Efficiency Converter at 800V and 100kHz, June 2014 (requires IEEE access)
Wu, Y.; Gritters, J.; Shen, L.; Smith, R.P.; McKay, J.; Barr, R.; Birkhahn, R., Performance and Robustness of First Generation 600V GaN-on-Si Power Transistors, Oct 2013 (requires IEEE access)
Parikh, Primit; Wu, Yifeng; Shen, Likun, Commercialization of High 600V GaN-on-Silicon Power Devices, May 2013 (requires IEEE access)
Wu, Yifeng, GaN Offers Advantages to Future HEV, March 2013
Wu, Y.; Kebort, D.; Guerrero, J.; Yea, S.; Honea, J.; Shirabe, K.; Kang, J., High-Frequency, GaN Diode-Free Motor Drive Inverter with Pure Sine Wave Output, Oct 2012
Shirabe, Kohei; Swamy, Mahesh; Kang, Jun-Koo; Hisatsune, Masaki; Wu, Yifeng; Kebort, Don; Honea, Jim, Advantages of High-frequency PWM in AC Motor Drive Applications, Sept 2012 (requires IEEE access)
Wu, Y.; Coffie, R.; Fichtenbaum, N.; Dora, Y.; Suh, C.S.; Shen, L.; Parikh, P.; Mishra, U.K., Total GaN solution to electrical power conversion, Jun 2011 (requires IEEE access)
מקרי שימוש של לקוחות
רכיבי GaN מבית Transphorm בפלטפורמה רבת-יישומים
רכיבי GaN מבית Transphorm בספקי-כוח לשרתים
לימוד
השוואת Cascode מבית Transphorm לעומת e-mode
סרטונים