הגדרות
אספקה מהירה
אספקה מהירה
Incoterms
סוגי תשלום
מוצרי Marketplace
MaxSiC™ MOSFET
Vishay MOSFETs enable higher performance and superior efficiency for high-power applications
Vishay MaxSiCTM silicon-carbide (SiC) MOSFETs feature a proprietary technology that combines an efficient trade-off of both on-resistance and switching performance while providing a robust device featuring a small parasitic capacitance, improved short-circuit withstand time (SCWT), increased shoot-through immunity, and competitive electric field of gate oxide.
These SiC MOSFETs offer a competitive figure of merit to address market demands in growing applications such as industrial motor drive inverters, photovoltaic (PV) energy conversion and storage systems, onboard chargers, charging stations, servers (datacenters), and uninterruptable power supplies (UPS).
Features
- Fast switching speed
- 3 μs short-circuit withstand time
- 1,200 V drain-source voltage
- 139 W maximum power dissipation (TC=+25°C)
- 29 A continuous drain current (TC=+25°C)
- -55°C to +150°C operating junction temperature range
- Lead-free and halogen-free
- Available in a TO-247 3L package
- RoHS compliant
Applications
- Chargers
- Auxiliary motor drives
- DC/DC converters
MaxSiC MOSFETs
| תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MXP120A250FW-GE3 | SILICON CARBIDE MOSFET | מיידית - 0 | $12.69 | הצגת הפרטים |
| | MXP120A250FL-GE3 | SILICON CARBIDE MOSFET | מיידית - 0 | $15.16 | הצגת הפרטים |
|  | MXP120A080FW-GE3 | SILICON CARBIDE MOSFET | מיידית - 496 | $36.53 | הצגת הפרטים |
| | MXP120A080FL-GE3 | SILICON CARBIDE MOSFET | מיידית - 578 | $38.97 | הצגת הפרטים |
| | MXP120A045FW-GE3 | SILICON CARBIDE MOSFET | מיידית - 0 | $47.39 | הצגת הפרטים |
| | MXP120A045FL-GE3 | SILICON CARBIDE MOSFET | מיידית - 0 | $48.78 | הצגת הפרטים |
2024-09-03 תאריך הפרסום
ישראל