Vishay / Siliconix

רכיבי MOSFET במתח בינוני עבור יישומים תעשייתיים

פלטפורמות הטכנולוגיה האחרונות ®TrenchFET‏ דור IV ו- ®ThunderFET‏ מבית Vishay מציעות ספרת איכות (FOM‏) Qg‏-(RDS(on מצוינת

תמונה של מוצרי הספק במתח בינוני מבית Vishay עבור יישומים תעשייתיים סל המוצרים העמידים מבית Vishay משפר את הביצועים של תכני ייצוב הספקת-כוח עבור מגוון רחב של שווקים. הוא הולך הרבה מעבר לדרך שבין התקע אל המעבד והופך מקורות אנרגיה טבעיים כגון אור השמש לחשמל כדי להעשיר את חיינו. מוצרים אלו, ביחד עם רכיבי MOSFET סופר-צומת סדרה E, נגדי חישה והרכיבים הפסיביים בסל מוצרי Vishay, מספקים את עמוד השדרה עבור מגוון של תכנים קריטיים-למשימות ומבטיחים הספקת כוח יציבה.

תמונה של מוצרי הספק במתח בינוני מבית Vishay עבור יישומים תעשייתיים

(לחץ כאן לתמונה גדולה יותר)

תמונה של מוצרי הספק במתח בינוני מבית Vishay עבור יישומים תעשייתיים

(לחץ כאן לתמונה גדולה יותר)

מאפיינים
  • התנגדות (RDS(on נמוכה יותר ב- 35% עד 60% לעומת הדור הקודם בעוד שהארכיטקטורה מאוזנת-המטען מקטינה את Qg ב- 10% עד 30% לשיפור הנצילות ולהפחתת הפסדי ההספק
    • מאפשרים יותר יציאת זרם לכל התקן הודות להפחתה של הפסדי ההולכה באמצעות R‏2‏I‏
    • מגדילים את צפיפות הספקת הכוח של תכנים על ידי הספקת יותר הספק יציאה לכל התקן או הפחתת מספר הרכיבים הנדרשים במקביל
    • האפשרות לטמפרטורה נמוכה יותר משפרת את אמינות התכן הסופי ביישומי מיתוג
  • אפשרויות מארזים TO-220 ו- D2PAK‏ קונבנציונליים, כולל D2PAK עם 7 מוליכים
    • מארז D2PAK‏ עם 7 מוליכים עם ביצועים עיליים ב- V‏ 100‏ (‏SUM70040M‏) מגדיל את שטח המגע עם ה- PCB כדי לטפל בתכני זרם גבוה עבור מגוון יישומים תעשייתיים
  • יחס 1 > gs‏Q‏ / gd‏Q ו- gd‏Q נמוך יותר משפר את האמינות ל-Shoot-Through
    • יחס gs‏Q‏ / gd‏Q מכוונן בדיוק משפר את תכונות המיתוג
    • הזמן הדרוש כדי לעבור דרך מתח Miller Plateau‏ הוא קצר יותר ומסמן הפעלה והפסקה מהירים יותר
    • תכונות AC ממוטבות מהוות פוטנציאל להגדלת נצילות ספקי-כוח ממותגים כאשר הם משמשים כמיישרים סינכרוניים
  • טמפרטורת צומת מקסימלית של 175°C

יישומים

מוצרים אלו ממירים אנרגיה גולמית טבעית להספק מהתקע אל המעבדים, והם מכסים יישומים תעשייתיים קלאסיים של הספקת כוח מכניסות של ‎24 V עד ‎72 V כגון:

  • מתאמי AC-DC
  • ממירי DC-DC (טופולוגיות מבודדות)
  • יישור סינכרוני בספקי-כוח ATX‏
  • בקרת דחיפת מנועים
  • כלי עבודה חשמליים
  • מהפכים
  • מיקרו-מהפכים סולאריים
  • פעולת OR-ing בארכיטקטורות הספקת כוח יתירה עבור ציוד טלקומוניקציה ושרתים
  • הגנת מעגלים וקוטביות הפוכה עבור מצברי V ‏24 עד V ‏48
  • מיתוג עומסים ומצברים במודולי ניהול מצברים
  • מגברי Class D‏ המשתמשים בטופולוגיות חצי-גשר או גשר-מלא
  • תחנות טעינה עבור רכבים חשמליים

Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET N-CH 60V 120A TO263SUM50020EL-GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO263מיידית - 0$14.53הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABSUP50020EL-GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABמיידית - 102$12.67הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 80V 120A TO263SUM60030E-GE3MOSFET N-CH 80V 120A TO263מיידית - 634$14.50הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 80V 120A TO220ABSUP60030E-GE3MOSFET N-CH 80V 120A TO220ABמיידית - 888$12.92הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7SUM70040M-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7מיידית - 390$12.92הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 100V 120A TO263SUM70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263מיידית - 1359$9.51הצגת הפרטים
MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABSUP70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABמיידית - 586$13.03הצגת הפרטים
2015-11-25 תאריך הפרסום

Related Product Highlight

טרנזיסטורים TrenchFET® Power MOSFET מתח בינוני עם קירור דו-צדדי טרנזיסטורי הספק TrenchFET® MOSFET מתח בינוני של Vishay Siliconix מאפשרים את הנצילות הגבוהה ביותר, מגדילים צפיפות הספק ומפחיתים את מספר הרכיבים.