Name: BSC900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC900N20NS3GATMA1TR-ND
Price: 9.4754 ILS
Availability: OutOfStock

BSC900N20NS3GATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	BSC900N20NS3GATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ BSC900N20NS3GATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ BSC900N20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	BSC900N20NS3GATMA1
תיאור	MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 61
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) הרכבה משטחית PG-TDSON-8-5
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	BSC900N20NS3GATMA1 דגמים

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	200 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	15.2A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏90‏, A‏7.6‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏30‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	11.6 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	920 pF @ 100 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-TDSON-8-5
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיס	BSC900

כמות	מחיר יחידה	סה"כ
5,000	2.18035 ₪	10,901.75 ₪
10,000	2.07623 ₪	20,762.30 ₪

מחיר יחידה ללא מע"מ:	8.03000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	9.47540 ₪

BSC900N20NS3GATMA1