Name: BSZ0500NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ0500NSIATMA1TR-ND
Price: 8.5904 ILS
Availability: OutOfStock

BSZ0500NSIATMA1 אזל מהמלאי וניתן להזמין כהזמנה-ממתינה.

תחליפים זמינים:

דומים

Diodes Incorporated

קיים במלאי: 353

מחיר יחידה : 6.36000 ₪

דומים

Rohm Semiconductor

קיים במלאי: 750

מחיר יחידה : 8.66000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

BSZ0500NSIATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-BSZ0500NSIATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-BSZ0500NSIATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-BSZ0500NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	BSZ0500NSIATMA1
תיאור	MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 61
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 30A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) הרכבה משטחית PG-TSDSON-8-FL
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	BSZ0500NSIATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2‏ ב-µA‏250‏
יצרן Infineon Technologies	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 52 nC @ 10 V
סדרה OptiMOS™	Vgs (מקס') ±20V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 3400 pF @ 15 V
סטטוס החלק פעיל	פיזור הספק (מקס') 2.1W (Ta), 69W (Tc)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30 V	מארז ההתקן של הספק PG-TSDSON-8-FL
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 30A (Ta), 40A (Tc)	מארז‏ / תיבה ‎8-PowerTDFN
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מספר מוצר בסיס BSZ0500
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏1.5‏, A‏20‏, V‏10‏