דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

IDV08E65D2XKSA1 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 448-IDV08E65D2XKSA1-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | IDV08E65D2XKSA1 |
תיאור | DIODE STANDARD 650V 8A PGTO2202 |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 35 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות 650 V 8A חור מעבר PG-TO220-2 מארז מלא |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | IDV08E65D2XKSA1 דגמים |
קטגוריה | מהירות התאוששות מהירה עד 500ns, זרם Io מעל 200mA |
יצרן | זמן התאוששות הפוכה (TRR) 40 ns |
אריזה צינור | זרם - דלף הפוך @ Vr 40 µA @ 650 V |
סטטוס החלק פעיל | סוג ההרכבה |
טכנולוגיה | מארז / תיבה |
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס') 650 V | מארז ההתקן של הספק PG-TO220-2 מארז מלא |
זרם - מיושר, ממוצע (Io) 8A | טמפרטורת פעולה - צומת -40°C ~ 175°C |
מתח - קדמי (Vf) (מקס') @ If 2.3 V @ 8 A | מספר מוצר בסיס |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| FFPF08H60STU | onsemi | 0 | FFPF08H60STU-ND | 0.00000 ₪ | דומים |
| RFNL10TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor | 921 | RFNL10TJ6SGC9-ND | 7.41000 ₪ | דומים |
| RFNL15TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor | 388 | 846-RFNL15TJ6SGC9-ND | 8.66000 ₪ | דומים |
| RFNL20TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor | 726 | RFNL20TJ6SGC9-ND | 9.54000 ₪ | דומים |
| RFNL5TJ6SGC9 | Rohm Semiconductor | 630 | RFNL5TJ6SGC9-ND | 6.13000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 4.43000 ₪ | 4.43 ₪ |
| 50 | 2.06720 ₪ | 103.36 ₪ |
| 100 | 1.83510 ₪ | 183.51 ₪ |
| 500 | 1.42782 ₪ | 713.91 ₪ |
| 1,000 | 1.29658 ₪ | 1,296.58 ₪ |
| 2,000 | 1.18620 ₪ | 2,372.40 ₪ |
| 5,000 | 1.06672 ₪ | 5,333.60 ₪ |
| 10,000 | 0.99290 ₪ | 9,929.00 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 4.43000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 5.22740 ₪ |





