
IPP120N08S403AKSA1 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | IPP120N08S403AKSA1 |
תיאור | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 80 V 120A (Tc) 278W (Tc) חור מעבר PG-TO220-3-1 |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | IPP120N08S403AKSA1 דגמים |
קטגוריה | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 167 nC @ 10 V |
יצרן | Vgs (מקס') ±20V |
סדרה | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 11550 pF @ 25 V |
אריזה צינור | פיזור הספק (מקס') 278W (Tc) |
סטטוס החלק לא עבור תכנים חדשים: החלק זמין לרכישה | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ) |
סוג FET | דירוג לרכב |
טכנולוגיה | הרשאה AEC-Q101 |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 80 V | סוג ההרכבה חור מעבר |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז ההתקן של הספק PG-TO220-3-1 |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מארז / תיבה |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm2.8, A100, V10 | מספר מוצר בסיס |
Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA223 |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP036N10A | onsemi | 1,809 | FDP036N10A-ND | 20.69000 ₪ | דומים |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | TK100E08N1S1X-ND | 20.27000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 27.35000 ₪ | 27.35 ₪ |
| 50 | 14.58900 ₪ | 729.45 ₪ |
| 100 | 13.35840 ₪ | 1,335.84 ₪ |
| 500 | 11.20338 ₪ | 5,601.69 ₪ |
| 1,000 | 10.51179 ₪ | 10,511.79 ₪ |
| 2,000 | 9.93065 ₪ | 19,861.30 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 27.35000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 32.27300 ₪ |



