Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 10.7144 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
תיאור	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 26
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) הרכבה משטחית PG-TSDSON-8 FL
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™ 5
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	10A (Ta), 63A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏11.3‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.9‏ ב-µA‏36‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2300 pF @ 50 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	2.5W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-TSDSON-8 FL
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN