דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

IXFH18N65X2 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 238-IXFH18N65X2-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | IXFH18N65X2 |
תיאור | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 32 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) חור מעבר TO-247 (IXTH) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V5 ב-mA1.5 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 29 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±30V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 1520 pF @ 25 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 290W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה חור מעבר |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 650 V | מארז ההתקן של הספק TO-247 (IXTH) |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm200, A9, V10 |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 24.50000 ₪ | דומים |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 34.92000 ₪ | דומים |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 289 | 497-9066-5-ND | 27.38000 ₪ | דומים |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | 14.13000 ₪ | דומים |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | 21.09000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 300 | 15.21870 ₪ | 4,565.61 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 15.21870 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 17.95807 ₪ |






