


FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | FDP039N08B-F102-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | FDP039N08B-F102 |
תיאור | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 32 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) חור מעבר TO-220-3 |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | FDP039N08B-F102 דגמים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4.5 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 133 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±20V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 9450 pF @ 40 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 214W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה חור מעבר |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 80 V | מארז ההתקן של הספק TO-220-3 |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm3.9, A100, V10 |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 236 | TK65E10N1S1X-ND | 14.89000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 30.10000 ₪ | 30.10 ₪ |
| 10 | 20.63000 ₪ | 206.30 ₪ |
| 100 | 15.26630 ₪ | 1,526.63 ₪ |
| 800 | 13.48870 ₪ | 10,790.96 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 30.10000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 35.51800 ₪ |

