FQB33N10LTM onsemi | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

FQB33N10LTM
מק"ט מוצר של DigiKey	FQB33N10LTMTR-ND - סרט וסליל (TR)‏
יצרן	onsemi
מק"ט מוצר של היצרן	FQB33N10LTM
תיאור	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 33A (Tc) 3.75W (Ta), 127W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	onsemi
סדרה	QFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏
סטטוס החלק	מוצר שהתיישן
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	33A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏52‏, A‏16.5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	40 nC @ 5 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1630 pF @ 25 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.75W (Ta), 127W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TO-263 (D2PAK)
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	FQB33N10