אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים



BZT52C8V2-G3-18 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | BZT52C8V2-G3-18-ND - סרט וסליל (TR) |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | BZT52C8V2-G3-18 |
תיאור | DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 28 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות - זנר (Zener) 8.2 V 410 mW ±5% הרכבה משטחית SOD-123 |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | עכבה (מקס') (Zzt) 7 Ohms |
יצרן | זרם - דלף הפוך @ Vr 100 nA @ 6 V |
סדרה | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C |
אריזה סרט וסליל (TR) | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
סטטוס החלק פעיל | מארז / תיבה |
מתח - זנר (נקוב) (Vz) | מארז ההתקן של הספק SOD-123 |
טולרנס ±5% | מספר מוצר בסיס |
הספק - מקס' 410 mW |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B8V2-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10,200 | BZT52B8V2-E3-08GICT-ND | 1.51000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| BZT52B8V2-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B8V2-E3-18-ND | 0.25573 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| BZT52B8V2-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B8V2-G3-08-ND | 0.19699 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| BZT52B8V2-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B8V2-G3-18-ND | 0.20780 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| BZT52C8V2-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3,981 | 112-BZT52C8V2-E3-08CT-ND | 1.48000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 10,000 | 0.18863 ₪ | 1,886.30 ₪ |
| 20,000 | 0.17215 ₪ | 3,443.00 ₪ |
| 30,000 | 0.16868 ₪ | 5,060.40 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 0.18863 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 0.22258 ₪ |







