Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 10.502 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SISS5623DN-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SISS5623DN-T1-GE3
תיאור	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 28
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 60 V 10.5A (Ta), 36.3A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 1212-8S
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SISS5623DN-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏24‏, A‏10‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.6‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1575 pF @ 30 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 1212-8S
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® 1212-8S
מספר מוצר בסיס	SISS5623