Name: SQJ110EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND
Price: 10.4076 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SQJ110EP-T1_GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SQJ110EP-T1_GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SQJ110EP-T1_GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SQJ110EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SQJ110EP-T1_GE3
תיאור	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 32
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 170A (Tc) 500W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SQJ110EP-T1_GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	170A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏6.3‏, A‏15‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	6100 pF @ 25 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	500W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8