VideoLibrary

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

In this webinar you’ll have an introduction to GaN technology and its advantages in common DC-DC converter topologies including a synchronous rectifier and a buck converter, an in-depth exploration of the test-to-fail methodology.

8/30/2023 8:13:04 PM

FET, MOSFET Arrays

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEמיידית - 2230$9.55הצגת הפרטים
MOSFET 3N-CH 100V 9BGAEPC2107MOSFET 3N-CH 100V 9BGAמיידית - 4982$10.19הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEEPC2104MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEמיידית - 2733$37.14הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEמיידית - 12085$11.48הצגת הפרטים
MOSFET 2N-CH 60V 23A DIEEPC2102MOSFET 2N-CH 60V 23A DIEמיידית - 1399$37.14הצגת הפרטים

Full Half-Bridge Drivers

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
TRANS GAN 100V EPOWER STAGEEPC23101ENGRTTRANS GAN 100V EPOWER STAGEמיידית - 4882$29.25הצגת הפרטים
IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFNEPC23102ENGRTIC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFNמיידית - 8484$29.86הצגת הפרטים
IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGAEPC2152ENGRTIC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGAמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFNEPC23104ENGRTIC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFNמיידית - 19034$17.59הצגת הפרטים
IC GAN EPOWER STAGE 100V 20AEPC23103ENGRTIC GAN EPOWER STAGE 100V 20Aמיידית - 0$27.06הצגת הפרטים

Laser Drivers

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGICEPC21601IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGICמיידית - 15261$10.44הצגת הפרטים
IC GAN LASER DRVR 80VEPC21701IC GAN LASER DRVR 80Vמיידית - 34662$11.95הצגת הפרטים
IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPDEPC21603ENGRTIC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPDמיידית - 4740$10.44הצגת הפרטים
IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGICEPC21603IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGICמיידית - 7888$10.44הצגת הפרטים
IC LASER DRVR GAN 80V 30AEPC21702ENGRTIC LASER DRVR GAN 80V 30Aמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים

Single FETs, MOSFETs

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
GANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2051GANFET N-CH 100V 1.7A DIEמיידית - 44887$6.68הצגת הפרטים
GANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2037GANFET N-CH 100V 1.7A DIEמיידית - 1315564$7.07הצגת הפרטים
GANFET N-CH 100V 500MA DIEEPC2038GANFET N-CH 100V 500MA DIEמיידית - 132075$7.07הצגת הפרטים
GANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2036GANFET N-CH 100V 1.7A DIEמיידית - 20883$7.07הצגת הפרטים
GANFET N-CH 100V 8.2A DIEEPC2052GANFET N-CH 100V 8.2A DIEמיידית - 107895$8.25הצגת הפרטים

Part List

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSPUP1966EIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSPמיידית - 225033$8.18הצגת הפרטים
EVAL REF DC-DCEPC9177EVAL REF DC-DCמיידית - 8$1,730.82הצגת הפרטים

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

תאריך פרסום: 2025-01-29

GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit
GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit

תאריך פרסום: 2023-09-19

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

תאריך פרסום: 2023-08-31

Related Product Highlight

EPC91116 Demonstration Board The EPC91116 demonstration board from EPC features an optional narrow-pulse generator to simplify operation with typical pulse and function generators.
טרנזיסטורי GaN FET במארזי PQFN טרנזיסטורי EPC GaN FET במארזי PQFN הם מושלמים עבור יישומים תובעניים כגון מניעי מנוע, רובוטיקה ומחשוב ביצועים-עיליים.
EPC91106 Synchronous Buck-Boost Converter Evaluation Board The EPC EPC91106 high power density, low profile, synchronous buck/boost converter evaluation board complete power converter solution fits within 21 mm x 13 mm.

Related Articles and Blogs

Webinar – Maximum Efficiency and Power: GaN This webinar introduces a series of joint GaN based reference designs featuring unmatched power output, thermal efficiency, and reduced board space.
הבנת תפקידם של דוחפים, מתגים ודיודות לייזר עבור ביצועי LiDAR אפקטיביים רכיבים אלקטרו-אופטיים הם הליבה של LiDAR, המשתמשת בפולסי לייזר כדי ליצור תמונה תלת-ממדית של "ענן הנקודות" של הסביבה.
Webinar – Unlocking the Power of GaN Learn how to incorporate high power density GaN technology into your applications in this webinar.

Related Product Training Modules

Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.
Paralleling eGaN® FETs Detailing the work done to make it as easy as possible to use eGaN FETs in power conversion applications.
Second Gen Lead Free eGaN® FETs Overview The new-generation is lead free and halogen free and has improved electrical performance.