High Power eGaN® FETs

EPC's eGaN power transistors continue to raise the bar for power-conversion performance

Image of EPC's Gen 4 eGaN® FETs EPC's family of high power eGaN FETs offer lower on-resistance, lower capacitance, higher current, and superior thermal performance enable power converters with greater than 98% efficiency. This family of eGaN FETs cuts resistance (RDS(ON)) in half, enabling high-current, high-power density applications. The latest generation of eGaN FETs also cuts the hard-switching figure of merit (FOM) in half compared with the previous generation for improved switching performance in high-frequency power conversion applications. Extending the performance benefits of GaN to 30 V enables high-power DC-DC converters, point-of-load (POL) converters, and synchronous rectifiers for isolated power supplies, PCs, and servers.

Features

  • Lower on-resistance (RDS(ON))
  • Improved figured of merit (FOM)
  • 30 V to 200 V

eGaN FET

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחיר
GANFET N-CH 60V 90A DIEEPC2020GANFET N-CH 60V 90A DIEמיידית - 1146$33.95הצגת הפרטים
GANFET N-CH 80V 90A DIEEPC2021GANFET N-CH 80V 90A DIEמיידית - 2815$36.32הצגת הפרטים
GANFET N-CH 100V 90A DIEEPC2022GANFET N-CH 100V 90A DIEמיידית - 13827$36.25הצגת הפרטים
GANFET N-CH 30V 60A DIEEPC2023GANFET N-CH 30V 60A DIEמיידית - 1882$34.24הצגת הפרטים
GANFET NCH 40V 60A DIEEPC2024GANFET NCH 40V 60A DIEמיידית - 2419$33.70הצגת הפרטים

Development Board

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחיר
EVAL BOARD FOR EPC2015 EPC2023EPC9018EVAL BOARD FOR EPC2015 EPC2023מיידית - 0$426.17הצגת הפרטים
EVAL BOARD FOR EPC2001 EPC2021EPC9019EVAL BOARD FOR EPC2001 EPC2021מיידית - 0$426.17הצגת הפרטים
EVAL BOARD FOR EPC2022 EPC2045EPC9080EVAL BOARD FOR EPC2022 EPC2045מיידית - 9$709.40הצגת הפרטים
2019-04-30 עודכן
2014-08-25 תאריך הפרסום