טרנזיסטורים MOSFET בטכנולוגיית סופר-צומת ושער-מפוצל

פלטפורמת Mosfet סופר-צומת מתח-גבוה של Micro Commercial Components משתרעת בתחום דירוגים 650‎ V ~ 800 V הודות לשימוש בתהליך multi-epi. זה הופך את החלקים לחסונים יותר ומציע ביצועי EMI טובים יותר והפלטפורמה למעשה מתאימה עבור יישומי הספק-גבוה צד ראשוני.

טרנזיסטורים MOSFET בטכנולוגיית שער-מפוצל מציעים ערך R_SP נמוך ביותר, מגיעים לצפיפות זרם גבוהה יותר במארזים קטנים יותר, ומתאימים עבור יישומים עם דרישות חיסכון-במקום ונצילות-גבוהה.

סל המוצרים SGT הנוכחי משתרעת בתחום דירוגים ‎30 V ~ 150 V ו-1.5 מילי-אוהם היא ערך ה-R_DSon הנמוך ביותר.