דוחף שער IGBT מבודד עם CMTI גבוה ISO5452

ISO5452 של Texas Instruments הוא דוחף שער מבודד מחוזק ‎5.7 kV_RMS עבור טרנזיסטורי IGBT ו-MOSFET עם יציאות מפוצלות, OUTH ו-OUTL, המספק זרם מקור של ‎2.5 A וקולט זרם של ‎5 A. צד הכניסה עובד מהספקה יחידה של ‎2.25 V‏ עד ‎5.5 V. צד היציאה מאפשר תחום הספקה ממתח מינימלי של 15‎ V עד למקסילי של ‎30 V. שתי כניסות CMOS משלימות שולטות על מצב היציאה של דוחף השער. זמן ההתפשטות הקצר של 76‎ ns מבטיח בקרה מדויקת של דרגת היציאה.

גילוי תקלה פנימי של אי-רווייה (DESAT) מזהה כאשר ה-IGBT נמצא במצב זרם-יתר. עם גילוי DESAT, לוגיקת השתקה חוסמת מידית את היציאה של המבדד ויוזמת תהליך כיבוי רך שמשבית את OUTH ומושך את OUTL למצב נמוך במשך זמן של 2‎ μs. כאשר ה-OUTL מגיע ל-‎2 V מעל לפוטנציאל האספקה השלילית ביותר, V_EE2, יציאת דוחף השער נמשכת מיידית לפוטנציאל V_EE2 ומשבית באופן מיידי את ה-IGBT.

כאשר אי-הרוויה פעילה, נשלח אות תקלה דרך מחסום הבידוד שמושך את יציאת ה-FLT בצד הכניסה למצב נמוך וחוסם את כניסת המבדד. לוגיקת השתקה מופעלת במשך הכיבוי הרך. תנאי היציאה FLT ננעל וניתן לאיפוס רק לאחר ש-RDY עובר למצב גבוה, באמצעות פולס אקטיבי-נמוך בכניסת RST.

כאשר ה-IGBT מושבת במשך עבודה רגילה עם הספקת יציאה דו-קוטבית, היציאה מהודקת היטב אל V_EE2. אם אספקת היציאה היא חד-קוטבית, ניתן להשתמש במהדק Miller אקטיבי ולאפשר לזרם Miller להקלט לאורך מסלול עכבה נמוכה ולמנוע הפעלה דינמית של ה-IGBT בזמן תנאי טרנזיינט מתח גבוה.

המוכנות של דוחף השער להיות מופעל נתון לבקרת שני מעגלים של השבתת תת-מתח המנטרים את הספקות צד הכניסה וצד היציאה. אם לאחד הצדדים יש הספקה לא מספקת, יציאת ה-RDY עוברת למצב נמוך; אחרת יציאה זו היא גבוהה.

ה-ISO5452 זמין במארז SOIC של 16-פינים. עבודת ההתקן מוגדרת בתחום טמפרטורות סביבה מ-‎40°C- עד 125‎°C.