Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

רכיבי MOSFET‏ DTMOS VI‏ במארז TOLL‏

רכיבי MOSFET‏ מבית Toshiba‏ הם אידיאלים עבור יישומי ספקי-כוח ממותגים

תמונה של רכיבי MOSFET‏ DTMOS VI‏ במארז TOLL‏ מבית Toshibaלרכיבי MOSFET‏ למתח-גבוה DTMOS VI‏ מבית Toshiba יש התנגדות מצב-מופעל מרזב (Drain)-מקור (Source‏) ((DS(ON‏R‏) נמוכה ותכונות מיתוג במהירות גבוהה עם קיבוליות נמוכה. זה הופך אותם לאידיאליים עבור החלפת יישומי ספקי-כוח ממותגים. הדור האחרון של DTMOSVI מציע את ספרת האיכות (FOM) הנמוכה ביותר של GD‏Q‏ x‏ (DS(ON)‏R‏ והוא נתון במארז TOLL חדש עם חיבור מקור Kelvin‏ להפחתת הפסדי הפעלה וכיבוי.

מאפיינים
  • הפחתת עלות
  • מגוון רחב של התנגדויות מצב-מופעל ואפשרויות מארזים
  • ספרת האיכות (FOM‏) (GD‏Q‏ x‏ (DS(ON)‏R‏) הנמוכה ביותר המוצעת על ידי DTMOS VI‏
  • התנגדות מצב-מופעל יציבה בטמפרטורות גבוהות יותר
  • חופש בחירה וגמישות במארזים ובאפשרויות (DS(ON‏)R‏
  • DTMOS VI‏ עבור מיתוג בנצילות הגבוהה ביותר בספק-הכוח
  • יצירת חום מופחתת
  • עלויות רכיבים פסיביים נמוכה יותר
  • מאפשר צפיפות הספק גבוהה יותר
יישומים
  • מרכזי נתונים, מהפכי PV, ו- UPS
  • ספקי-כוח ממותגים
  • תאורה
  • בקרת גורם הספק
  • אלקטרוניקה תעשייתית

DTMOSVI MOSFETs in TOLL Package

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZמיידית - 5932$19.63הצגת הפרטים
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZמיידית - 1008$14.28הצגת הפרטים
DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZTK155U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZמיידית - 0$15.68הצגת הפרטים
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZמיידית - 0$13.49הצגת הפרטים
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZמיידית - 1776$28.53הצגת הפרטים
2021-05-04 תאריך הפרסום

Related Product Highlight

DTMOS-VI 600 V and 650 V Power MOSFETs Toshiba 600 V/650 V DTMOS-VI MOSFETs use a powerful super junction process with a robust body diode to improve efficiency in critical switching applications.