הגדרות
אספקה מהירה
אספקה מהירה
Incoterms
סוגי תשלום
מוצרי Marketplace
DTMOS-VI 600 V and 650 V Power MOSFETs
Toshiba DTMOS-VI super junction MOSFETs are designed for switching applications
The latest Toshiba DTMOS-VI process offers 600 V and 650 V MOSFETs by utilizing a powerful super junction process with a robust or faster body diode to improve efficiency in critical switching applications such as power supplies, data centers, and solar inverters.
These products, employing the DTMOS-VI (HSD) process, utilize high-speed body diodes to enhance the reverse recovery characteristics, which are crucial for bridge circuit and inverter circuit applications. Against the standard DTMOS-VI process, they achieve a 65% reduction in reverse recovery time (trr), and an 88% reduction in reverse recovery charge (Qrr) (measurement conditions: -dIDR/dt=100 A/μs).
Both DTMOS-VI processes are available in a variety of packages, including standard through-hole TO-220 and TO-247 Packages, as well as surface mount options such as TOLL or DFN8x8.
- Lowest on-resistance in family is 0.024 Ω (max) (VGS=10 V)
- Low RDS(ON) x Qgd (drain-source on-resistance x gate-drain charge)
- High efficiency in switched-mode power supplies
- Tight threshold voltage for reliable operation
- Built-in high-speed diode offers improved reverse recovery loss
- Industrial equipment
- Switching power supplies (data center servers, communications equipment, and more)
- EV charging stations
- Power conditioners for photovoltaic generators
- Uninterruptible power systems
DTMOS-VI 600 V and 650 V Power MOSFETs
| תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | מתח מרזב-למקור (Vdss) | זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TK155U60Z1,RQ | N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V, | 600 V | 17A (Ta) | מיידית - 4000 | $12.42 | הצגת הפרטים |
| | TK125U60Z1,RQ | N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V, | 600 V | 20A (Ta) | מיידית - 4000 | $13.75 | הצגת הפרטים |
| | TK099U60Z1,RQ | N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V, | 600 V | 25A (Ta) | מיידית - 4000 | $15.86 | הצגת הפרטים |
| | TK080U60Z1,RQ | N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T | 600 V | 30A (Ta) | מיידית - 4000 | $18.16 | הצגת הפרטים |
| | TK115U65Z5,RQ | N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V, | 650 V | 24A (Ta) | מיידית - 4000 | $22.21 | הצגת הפרטים |
| | TK095U65Z5,RQ | N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V, | 650 V | 29A (Ta) | מיידית - 4000 | $25.16 | הצגת הפרטים |
| | TK065U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ | 650 V | 38A (Ta) | מיידית - 1776 | $28.53 | הצגת הפרטים |
| | TK110U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ | 650 V | 24A (Ta) | מיידית - 5932 | $19.63 | הצגת הפרטים |
|  | TK125V65Z,LQ | MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN | 650 V | 24A (Ta) | מיידית - 9890 | $21.03 | הצגת הפרטים |
| | TK099V65Z,LQ | MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN | 650 V | 30A (Ta) | מיידית - 4730 | $23.08 | הצגת הפרטים |
| | TK090U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ | 650 V | 30A (Ta) | מיידית - 0 | $13.49 | הצגת הפרטים |
| | TK190U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ | 650 V | 15A (Ta) | מיידית - 1008 | $14.28 | הצגת הפרטים |
| | TK170V65Z,LQ | MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN | 650 V | 18A (Ta) | מיידית - 4938 | $17.15 | הצגת הפרטים |
| | TK210V65Z,LQ | MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN | 650 V | 15A (Ta) | מיידית - 4616 | $17.69 | הצגת הפרטים |
|  | TK095N65Z5,S1F | 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE | 650 V | 29A (Ta) | מיידית - 195 | $24.83 | הצגת הפרטים |
| | TK068N65Z5,S1F | 650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM | 650 V | 37A (Ta) | מיידית - 235 | $35.21 | הצגת הפרטים |
| | TK024N60Z1,S1F | N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V | 600 V | 80A (Ta) | מיידית - 104 | $55.02 | הצגת הפרטים |
| | TK042N65Z5,S1F | 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247 | 650 V | 55A (Ta) | מיידית - 7 | $49.67 | הצגת הפרטים |
| | TK065N65Z,S1F | MOSFET N-CH 650V 38A TO247 | 650 V | 38A (Ta) | מיידית - 33 | $33.20 | הצגת הפרטים |
|  | TK110A65Z,S4X | MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS | 650 V | 24A (Ta) | מיידית - 27 | $21.07 | הצגת הפרטים |
ישראל