הגדרות
אספקה מהירה
אספקה מהירה
Incoterms
סוגי תשלום
מוצרי Marketplace
TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs
Transphorm’s JEDEC-qualified Gen IV FETs are offered in TO-247 and PQFN packages
Transphorm’s 650 V SuperGaN™ Gen IV FETs include two robust JEDEC-qualified devices. The TP65H035G4WS offers a typical on-resistance of 35 mΩ in a TO-247 package. The TP65H300G4LSG offers a typical on-resistance of 240 mΩ in a PQFN88 package. Power systems using SuperGaN FETs can reach greater than 99% efficiency when used with bridgeless totem-pole power factor correction (PFC). Benefits include an improved figure of merit of ~10%; enhanced inrush current capabilities; and easier designability given switching node snubbers at high operation currents are no longer required.
TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs
| תמונה | מק"ט יצרן | תיאור | זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs | Vgs(th) (מקס') @ Id | כמות זמינה | מחיר | הצגת הפרטים | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 46.5A (Tc) | mOhm41, A30, V10 | V4.8 ב-mA1 | מיידית - 618 | $68.15 | הצגת הפרטים |
|  | TP65H300G4LSG-TR | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN | 6.5A (Tc) | mOhm312, A5, V8 | V2.6 ב-µA500 | מיידית - 0 | See Page for Pricing | הצגת הפרטים |
2020-07-28 תאריך הפרסום
ישראל