VideoLibrary

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

7/21/2023 3:29:16 PM

Part List

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3מיידית - 0$79.21הצגת הפרטים
650 V 95 A GAN FETTP65H015G5WS650 V 95 A GAN FETמיידית - 468$115.74הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
650 V 25 A GAN FETTP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FETמיידית - 611$51.86הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN88מיידית - 11169$43.50הצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PSGANFET N-CH 600V 17A TO220ABמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4WS650 V 34 A GAN FETמיידית - 203$49.88הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3TP65H050WSGANFET N-CH 650V 34A TO247-3מיידית - 450$54.37הצגת הפרטים
650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FETמיידית - 30$72.21הצגת הפרטים
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3TP90H050WSGANFET N-CH 900V 34A TO247-3מיידית - 0$36.56הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3מיידית - 0$83.33הצגת הפרטים
GAN FET N-CH 650V TO-220TP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-220מיידית - 1837$28.78הצגת הפרטים
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4BS650 V 34 A GAN FETמיידית - 543$51.61הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNמיידית - 1131$14.61הצגת הפרטים
GAN FET N-CH 650V PQFNTP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFNמיידית - 2379$18.16הצגת הפרטים
650 V 13 A GAN FETTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FETמיידית - 386$20.92הצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFNמיידית - 9$42.13הצגת הפרטים
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220ABמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220ABמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3TP65H050WSQAGANFET N-CH 650V 36A TO247-3מיידית - 5$71.24הצגת הפרטים

Related Videos

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

תאריך פרסום: 2023-07-21

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems
Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

תאריך פרסום: 2023-07-21

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions
Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions

תאריך פרסום: 2023-05-17

Related Product Highlight

SuperGaN® Evaluation Boards and Kits Transphorm’s SuperGaN® evaluation boards and kits deliver an easy-to-use platform to investigate the benefits of GaN with various topologies.
TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET Transphorm’s SuperGaN® FET offers high reliability, high efficiency, and high voltage power conversion in an easy-to-drive JEDEC-qualified device.
TDTTP2500B066B-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN Eval Board Transphorm's TDTTP2500B066B-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN evaluation board is suitable for applications such as datacenter power supplies.

Related Articles and Blogs

מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב דוחפים את הנצילות במרכזי נתונים מכיוון שלמרכזי נתונים יש דרישות אנרגיה עצומות, נדרשים פתרונות הספקת-כוח היכולים להפחית את הפסדי ההספק, להגדיל את הנצילות ולשפר את הבקרה התרמית.
מוליכים-למחצה עם פער-אנרגיה (Bandgap‏) רחב משנים את עולם התחבורה סקטור התחבורה כולו עובר טרנספורמציה רדיקלית, עם פתרונות עבור מכוניות חשמליות והיברידיות והסעת המונים נקיה יותר.
תכנון תיקון גורם הספק יעיל יותר באמצעות מוליכים-למחצה עם Bandgap‏ רחב ובקרה דיגיטלית השתמשו בבקרה דיגיטלית ובמוליכים-למחצה להספק עם Bandgap‏ רחב כדי לתכנן מעגלי תיקון גורם הספק העומדים ביעילות בתקנות הנוכחיות.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.