Name: BSC009NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LSATMA1TR-ND
Price: 8.2718 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

BSC009NE2LSATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	BSC009NE2LSATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ BSC009NE2LSATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ BSC009NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	BSC009NE2LSATMA1
תיאור	MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 61
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 25 V A‏41‏ (Ta‏), A‏255‏ (Tc‏) 2.5W (Ta), 96W (Tc) הרכבה משטחית PG-TDSON-8-7
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	BSC009NE2LSATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	25 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	A‏41‏ (Ta‏), A‏255‏ (Tc‏)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏0.9‏, A‏30‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.2‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	5800 pF @ 12 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	2.5W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-TDSON-8-7
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיס	BSC009