Name: TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 12.1894 ILS
Availability: InStock

תעלת P 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) הרכבה משטחית ‎DPAK+‎

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TJ60S06M3L(T6L1,NQ
תיאור	MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 12
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) הרכבה משטחית ‎DPAK+‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TJ60S06M3L(T6L1,NQ דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏3‏ ב-mA‏1‏
יצרן Toshiba Semiconductor and Storage	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 156 nC @ 10 V
סדרה U-MOSVI	Vgs (מקס') +10V, -20V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 7760 pF @ 10 V
סטטוס החלק פעיל	פיזור הספק (מקס') 100W (Tc)
סוג FET תעלת P	טמפרטורת פעולה 175°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 60 V	מארז ההתקן של הספק ‎DPAK+‎
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 60A (Ta)	מארז‏ / תיבה 3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 6V, 10V	מספר מוצר בסיס TJ60S06
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏11.2‏, A‏30‏, V‏10‏

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (2)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
SQD50P06-15L_GE3	Vishay Siliconix	2,918	SQD50P06-15L_GE3CT-ND	3.54000 ₪	דומים
SUD50P06-15-GE3	Vishay Siliconix	34,288	SUD50P06-15-GE3CT-ND	3.07000 ₪	דומים