CMOS DDR3L SDRAM מהירות גבוהה, מתח נמוך, AS4C512M16D3L

Alliance Memory מציגה את ה-DRAM הסינכרוני CMOS קצב נתונים כפול 3 ‏מונוליתי מהירות גבוהה, מתח נמוך, AS4C512M16D3L

תמונה של CMOS DDR3L SDRAM מהירות גבוהה, מתח נמוך, Alliance Memory AS4C512M16D3LDRAM‏ (DDR3L SDRAM) סינכרוני CMOS קצב נתונים כפול 3 מונוליתי מהירות גבוהה, מתח נמוך, AS4C512M16D3L של Alliance Memory כולל מארז FBGA נטול עופרת (Pb),‏ 9 מ"מ x ‏14 מ"מ, 96-כדוריות, בעל צפיפות של ‎8 GB. עם כיווצי שבב מינימליים, התקן השבב-יחיד מספק תחליף Drop-In אמין, תואם פין-לפין עבור מספר פתרונות דומים המערבים מיקרו-מעבדים מהדור החדש יותר עבור יישומים תעשייתיים, רפואיים, רשתות, טלקום ותעופה וחלל, מבטל את צורך בתכנון מחדש יקר והערכה מחדש של התאמת חלק. ‎8 GB DDR3L זה הוא בחירה לוגית עבור יישומים הדורשים זיכרון מוגדל ובו בזמן קיימים אילוצי שטח-לוח.

מאפיינים ויתרונות
  • מוצע במארז FBGA נטול עופרת (Pb),‏ 9 מ"מ x ‏14 מ"מ, 96-כדוריות
  • סיליקון מתקדם ביותר מסופק על ידי Micron Technology
  • קצבי העברה מהירים ביותר של עד פין‎1600 Mbps‎‎/‎‎ וקצבי שעון של ‎800 MHz
  • עובד מספק-כוח יחיד של 1.35‎ V+
  • זמין עם תחומי טמפרטורה מסחרי מורחב (‎0°C עד 95‎°C+) ותעשייתי (40‎°C- עד ‎95°C+)
  • מוגדר תצורה פנימית כשמונה סוללות (banks) של ‎64 M x 16-bits (פרמטר ‎512 M x 16)
  • עבודה סינכרונית מלאה
  • אורכי פריצה (Burst) קריאה או כתיבה של 4 או 8 ניתנים-לתכנות
  • פונקציית קדם-טעינה אוטומטית מספקת קדם-טעינה שורה עם תזמון עצמי יזומה בסוף סדרת הפרצות (Burst)
  • פונקציות רענון קלות לשימוש כוללות רענון אוטומטי או עצמי
  • אוגר אופן ניתן-לתכנות מאפשר למערכת לבחור את האופנים המתאימים ביותר עבור ביצועים מקסימליים

High-Speed Low-Voltage CMOS DDR3L SDRAM

תמונהמק"ט יצרןתיאורכמות זמינהמחירהצגת הפרטים
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGAAS4C512M16D3L-12BCNIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGAמיידית - 0See Page for Pricingהצגת הפרטים
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGAAS4C512M16D3L-12BINIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGAמיידית - 0$83.78הצגת הפרטים
2016-02-24 תאריך הפרסום